From 7Nm to 3nm GAA, why did Samsung adopt EUV radically?

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来源:爱集微, Sept. 09, 2018 – 

着联电、格芯先后退出半导体先进工艺竞赛，目前仍有实力一争高下的，仅剩下台积电、三星和英特尔。就当前进展而言，台积电公布的7nm芯片已有50多款在流片，可算是遥遥领先。英特尔则仍苦苦挣扎于10nm。三星近年来逐渐将代工业务视为发展重点誓做"最受信任的代工厂"，并曾扬言要争取25%的代工市场，在今年其在美国、中国、日本等多地先后举办的三星代工论坛（SFF）上还公布了其7nm以后的最新工艺路线图，展示与台积电拼到底的决心。

按照三星的计划，2018年晚些时候会推出7nm FinFET EUV工艺，而8nm LPU工艺也会开始风险试产；2019年推出7nm的优化版，即5/4nm FinFET EUV工艺，同时面向RF射频、eMRAM等芯片的18nm FD-SoI工艺开始风险试产；2020年推出3nm EUV工艺，同时晶体管架构从FinFET转向GAA（ Gate-All-Around）。三星将GAA视为7nm节点之后取代FinFET晶体管的新一代候选技术。

由于台积电要到第二代7nm工艺N7+上才会使用EUV工艺，因此三星算是首家大规模量产EUV工艺，激进的三星在7nm工艺就直接上EUV，未来的5/4/3nm节点也会全面使用EUV工艺。

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