3nm in progress! Samsung says the foundry business is crucial in the future

搜索最新SoC解决方案
关于汽车电子...物联网...安全...音频...视频

来源:爱集微, Dec. 05, 2018 –

三星电子近日表示，其晶圆代工厂作为整体解决方案提供商，将更广泛的参与到推动第四次工业革命中去，并发挥越来越重要的作用。

在2018年电气和电子工程师协会国际电子器件会议（IEDM）的主题演讲中，三星电子的总裁兼代工业务负责人ES Jung博士指出，下一次工业革命只能通过半导体技术的不断进化来实现。

ES Jung博士在他的演讲"第四次工业革命与代工：挑战与机遇"中解释说，先进代工技术的发展对于设计和制造创新的半导体产品至关重要，而这些创新的半导体产品将使我们的日常生活焕然一新。

人工智能，云计算，自动驾驶汽车和智能家居等新兴的应用需要更高级的技术，包括复杂的设计和系统级优化。

ES Jung博士讨论了半导体技术日益复杂的问题，这种复杂性已经让半导体代工厂从传统晶圆制造业务转变为整个解决方案提供商。

如今，代工厂正在提供增值服务，特别是在设计服务和基础设施，产品工程和包装/测试领域。

为了实现更广泛的创新应用，半导体已经变得速度更快、密度更高、功耗更低。此外，为了分析前所未有的、成指数增长的数据量，必须开发新的存储器架构和全新的计算方案，例如神经形态计算。

ES Jung博士说："如果没有整个半导体行业的合作，这些技术进步都不可能实现。"

"材料、设备、电子设备、政府、大学、研究中心和企业之间的合作对于第四次工业革命的成功至关重要，"他补充说。

Jung博士还介绍了未来硅技术的一些最新研究和发展，包括MRAM，一种嵌入传统逻辑工艺的非易失性存储器解决方案，以及3nm栅极环绕（GAA）技术。

MRAM是功耗更低的新型半导体器件的例子之一。随着存储器密度变得更高，MRAM的功率效率变得更加突出，与1024Mb的SRAM相比，功耗仅为0.5％。MRAM还具有更小的单位面积，这增加了设计的灵活性。

三星独特的GAA技术称为多通道FET（MBCFET），它使用垂直堆叠的多个纳米片沟道。

由于纳米片宽度可变，该技术不仅提供了最佳的性能和功率特性，而且具有很高的设计灵活性。此外，MBCFET采用90％或更多的FinFET工艺制造，只需修改少量的掩模。

此外，三星电子还在2018年IEDM上发表了一篇新论文，分享了3nm的开发进展，成功演示了功能齐全的高密度SRAM电路。三星应用MBCFET技术的第一个工艺节点的开发正按计划进行。

关于三星的MCBFET技术何时能量产，该公司此前的规划是在2020年开始在3nm节点量产，但Gartner代工厂研究副总裁Samuel Wang预计，三星将在2022年左右正式量产GAA晶体管，不过看起来进展速度比预期更快。