Rapidus宣布2025年4月实际生产2纳米芯片，挑战不小

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相对Rapidus所宣称的5万亿日元的量产资金需求，目前日本政府以及金融资本对其的支持还远远不够，这最终要取决于Rapidus进行的2纳米芯片量产进展。

www.eet-china.com, Dec. 12, 2024 –

近日，据日媒报道，日本先进半导体代工企业Rapidus会长东哲郎表示，在2025年3月底，Rapidus将完成试产2纳米芯片所需的全部设备设置工作，4月起启动试产产线，实际生产2纳米芯片。

Rapidus的目标是在2027年开始量产2纳米芯片。为了实现这一目标，Rapidus正在北海道千岁市建设一座先进的2纳米芯片工厂，该工厂名为"IIM-1"，是日本国内首座2纳米以下的逻辑芯片工厂。此外，Rapidus还计划在未来考虑兴建更多的厂房以扩大产能。

在技术方面，Rapidus已经获得了IBM的技术支持，包括GAA晶体管技术，这些技术将帮助Rapidus更可靠地大规模使用2纳米片技术制造芯片。此外，Rapidus还与比利时的IMEC合作，学习关键的EUV光刻设备技术，以进一步提升其制造能力。

为了推动2纳米芯片的发展，Rapidus不仅在前端工艺上与IBM合作，还在后端封装技术上进行研发。例如，Rapidus与IBM合作开发了Chiplet先进封装技术，以提高芯片的集成度和性能。这种封装技术的应用将为高性能计算、人工智能和物联网等领域提供支持。

值得一提的是，IBM和日本先进芯片制造商Rapidus在近日的2024 IEEE IEDM国际电子器件会议上展示了两方合作的多阈值电压GAA晶体管研发成果，这些技术突破有望用于Rapidus的2nm制程量产。

据悉，进入2纳米芯片工艺之后，晶体管的结构由使用多年的FinFET转为GAAFET（全环绕栅极场效应晶体管），同时也迎来了新的挑战：如何实现多阈值电压（Multi Vt）从而让芯片以较低电压执行复杂计算。

然而，2nm名义制程下N型和P型半导体通道之间的距离相当狭窄，需要精确的光刻才能在实现多阈值电压的同时不会对半导体的性能产生巨大影响。对此，IBM、Rapidus导入了两种不同的选择性减少层（SLR）芯片构建工艺，成功达成了目标效果。

在市场拓展上，Rapidus正在积极拓展客户，与多家企业进行深入谈判，预计将在未来几年内披露更多合作细节。

此外，Rapidus也在积极争取日本政府和金融资本的支持，以帮助其完成2纳米芯片的开发和生产。日本政府最近已经宣布将投入1.6万亿日元（约766.11亿元人民币）用于支持国内AI和半导体领域的发展，其中半数资金将用于支持Rapidus的研发与运营。

不过，相对Rapidus所宣称的5万亿日元的量产资金需求，目前日本政府以及金融资本对其的支持还远远不够，这最终要取决于Rapidus进行的2纳米芯片量产进展。