M31 超低漏电的 SRAM 解决方案

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很多所谓"低功耗"芯片，真正耗电的并不是在跑算力的那一刻。

mp.weixin.qq.com – Mar. 18, 2026 –

面向 Edge AI 与 AIoT 这类以待机占空比为主的 SoC，M31 在 TSMC N6e 节点提供超低漏电的 SRAM 解决方案，核心就是在不牺牲系统唤醒体验的前提下，把待机功耗尽可能压下去。

你可以期待的能力包括：

更贴近系统的低功耗模式设计，支持从快速轻睡眠到深度数据保持，再到完全关断，并明确给出唤醒延迟取舍。比如轻睡眠进出约 1 个周期，数据保持进出约 10 到 15 个周期，关断进出约 50 个周期。

支持双电源轨架构，存储阵列和外围电路分别供电，同时支持多电压域，便于和 DVFS 的电源策略协同落地。

提供可配置的宏单元家族，可根据容量与带宽需求灵活选择组织方式，支持 mux 与 bank 等配置选项。

面向集成与测试的可选功能，包括 BIST mux、写掩码和 scan，方便你把存储器能力与 DFT 策略对齐。

想进一步了解 TSMC N6e 平台上的更多低功耗 SRAM 方案：

如果你正在规划 N6e 项目，希望优化待机功耗，同时把唤醒行为和系统体验控制在可预期范围内，欢迎和我们聊聊你的想法

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