创意电子发表12Gbps HBM4 IP平台

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www.guc-asic.com – Apr. 23, 2026 –

台湾新竹 — 2026年4月23日 — 先进ASIC领导厂商创意电子（GUC）今日宣布，于TSMC 2026北美技术论坛（North America Technology Symposium）合作伙伴展区，成功展示其采用台积电3纳米制程实现之12Gbps HBM4 IP平台。该平台整合了创意电子自研完整功能之HBM4控制器（Controller）与PHY IP，并结合合作伙伴之HBM4内存，同时采用台积电领先业界的CoWoS®先进封装技术。

创意电子前一代HBM3E控制器与PHY IP已成功导入客户3纳米产品，其量产实测性能可达规格15%以上。随着JEDEC持续推动HBM技术蓝图，HBM4在带宽与容量上大幅提升，并进一步将数据总线宽度倍增。相较HBM3E，创意电子HBM4 IP可提供2.5倍带宽，同时在功耗效率与面积效率上分别提升1.5倍与2倍。

延续创意电子既有HBM、GLink及UCIe IP解决方案，此次HBM4 IP也整合proteanTecs之互连监测技术，大幅提升PHY测试与特性分析之可观性，并强化终端产品于实际运行时的效能与可靠性。为适应3D IC架构日益增长的需求，创意电子HBM4 PHY也支持face-up配置，可整合至台积电SoIC face-to-face架构，并预留额外TSV（硅穿孔）供电源穿透至上层芯片。

创意电子技术长Igor Elkanovich表示："我们很荣幸成为首家在TSMC技術論壇上向客戶展示12Gbps HBM4 IP的公司。结合创意电子的UCIe与GLink-3D IP，我们可为现代3.5D系统架构提供完整的2.5D/3D IP解决方案，包括TSMC SoIC-X on CoWoS。"

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